在微电子电路设计中，往往会用到各种各样的电压等级，一般我们获取这些电压的途径无非几点：1）从外部引入，做滤波隔离处理；如线性变压器变换获得。2）电路板内部压降方式转换，内部转换无非就是用电源芯片管理芯片来转换所需要的电压；通过LDO和DC-DC转换
在微电子电路设计中，往往会用到各种各样的电压等级，一般我们获取这些电压的途径无非几点：
1）从外部引入，做滤波隔离处理；如线性变压器变换获得。
2）电路板内部压降方式转换，内部转换无非就是用电源芯片管理芯片来转换所需要的电压；通过LDO和DC-DC转换获得。
LDO=low dropout regulator，低压差线性稳压器。“低压差”：输出压降比较低，例如输入3.3V，输出可以达到3.2V；“线性”：LDO内部的MOS管工作于线性电阻；“稳压器”说明了LDO的用途是用来给电源稳压；由于一般的LDO封装都比DC-DC小的多，并且成本也低得多，因此在很多电子产品设计中，都会使用到LDO来转换我们所需要的电压，当然在选择使用LDO的前提下，是需要满足对噪声的反应和耗电等基本要求的。
一般是三端或四端集成稳压方式封装，压差越大，调整管消耗功率越大。于是就出现了低压差的集成稳压器，称为低压差线性稳压器——Low Dropout Regulator,简称LDO,可以低至10mV数量级。
当要求输出电压中纹波、噪声特别小的场合，输入输出电压差不大，输出电流不大于100mA时采用微功耗、低压差（LDO）线性稳压器是最合适的。
实现LDO的基本思想
PNP型结构的LDO
当调整管使用PNP管时，电路如图1所示。可以看出，此时整个环路仍是负反馈，而输入输出之间的电压跌落仅仅是Q1的饱和压降， 一般在百mV左右，取决于负载电流大小——输出电流越大，跌落电压也越大。
图1 PNP型LDO 内部简化结构
PNP型LDO的主要缺点是，它只有一个晶体管，电流增益是有限的，因此Q2发射极 流过的电流约为输出电流的1/β,而调整管的β一般较小，导致这个电流较大。
这个电流直接流向了稳压器的接地端，它与其它支路流进地的电流一起，被称为地电流。地电流大，一方面会降低效率，另一方面对LDO扩压电路带来不稳定因素。
PMOS型结构的LDO
PNP型调整管结构中，其基极电流不可必须考虑，采用场效应管方案可以解决这个问题，PMOS型结构的LDO,电路如图2所示。
图2 PMOS型LDO 内部简化结构
电路工作原理类似于PNP型结构，但是它没有了门极电流，因此大幅度减小了地电流。与PNP相比，PMOS型LDO的另外一个好处是，它能够实现更小的跌落电压，通常可以低至10mV数量级。当然，这也与输出电流有关。
使用不同类型的LDO时需要注意事项：
1)LDO是一个包含比较放大器、调整管、采样网络的一个大闭环，只考虑静态时，它处于标准的负反馈状态，是稳定的。
2)环路中任何环节，都会产生增益和相移，在没有补偿的情况下，这些环节的相移都是滞后的，且是随着频率的增加，其绝对值是增加的，即这些相移是由极点产生的。
3)每个极点，会产生最大-90°的滞后相移。理论上，当存在两个极点时，频率升至无穷大，滞后相移才会达到-180°——这就等于说永远不会达到；而存在3个极点时，一定会 在某个频率处，使得滞后相移达到-180°。
4)在某个频率处，如果整个环路的滞后相移达到180°,而环路增益还没有跌落到1以下，此环路就一定会发生自激振荡。
5)LDO的输出必须接一个大电容，以保证电源在面临负载突然加重时，具有良好的 动态性能——输出电流突然增加时，大电容可以暂时提供负载的电流需求，不至于使得输 出电压突然降低。这个电容必不可少。
6)输出电容的存在，给整个环路增加了一个极点，多出了最大-90°的相移，加重了整个环路满足自激振荡的可能性。
7)LDO的调整管工作于共射极状态，具有很大的输出电阻；而标准稳压器的共射极形式，输出电阻极小。这导致两者的极点频率不同：LDO的极点频率要远低于标准稳压器的极点频率。
避免自激振荡的方法，常见的有两个，第一是改变极点位置，比如将第一个极点尽量降低，使得增益在极低频率处就开始下降，到相移达到-180°时，环路增益已经下降到1以下。第二， 是给整个环路增加一个或者多个零点——每增加一个零点，会产生最大90°的超前相移，以抵消极点的作用。而这个零点增加，需要用户在组成LDO电路时完成。
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